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BSP170PL6327HTSA1

BSP170PL6327HTSA1

僅供參考

型號 BSP170PL6327HTSA1
PNEDA編號 BSP170PL6327HTSA1
描述 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
制造商 Infineon Technologies
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庫存 8,946
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSP170PL6327HTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSP170PL6327HTSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSP170PL6327HTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列SIPMOS®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.9A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs300mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds410pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.8W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-SOT223-4
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

250A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

245nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-263-7

包裝/箱

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.2A (Ta), 20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 13.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1410pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 27W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

97nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6000pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

230W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

260mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

810pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

144W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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-

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