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BSR58LT1G

BSR58LT1G

僅供參考

型號 BSR58LT1G
PNEDA編號 BSR58LT1G
描述 JFET N-CH 40V 350MW SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,680
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSR58LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSR58LT1G
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
BSR58LT1G, BSR58LT1G數據表 (總頁數: 4, 大小: 91.96 KB)
PDFBSR58LT1G數據表 封面
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BSR58LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)40V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)8mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID800mV @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)60 Ohms
功率-最大350mW
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

50mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

1.8W

工作溫度

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

60mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

6V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

25pF @ 15V

電阻-RDS(On)

100 Ohms

功率-最大

500mW

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

200µA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

300mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4.5pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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