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BSS126L6327HTSA1

BSS126L6327HTSA1

僅供參考

型號 BSS126L6327HTSA1
PNEDA編號 BSS126L6327HTSA1
描述 MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,502
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSS126L6327HTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSS126L6327HTSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BSS126L6327HTSA1, BSS126L6327HTSA1數據表 (總頁數: 9, 大小: 257.17 KB)
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BSS126L6327HTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列SIPMOS®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)21mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)0V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs500Ohm @ 16mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.6V @ 8µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.1nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds28pF @ 25V
FET功能Depletion Mode
功耗(最大值)500mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3093pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

166W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

720mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

325nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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