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BU323Z

BU323Z

僅供參考

型號 BU323Z
PNEDA編號 BU323Z
描述 TRANS NPN DARL 350V 10A TO-218
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,776
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 13 - 四月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BU323Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BU323Z
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BU323Z, BU323Z數據表 (總頁數: 8, 大小: 126.97 KB)
PDFBU323Z數據表 封面
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BU323Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)350V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.7V @ 250mA, 10A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce500 @ 5A, 4.6V
功率-最大150W
頻率-過渡2MHz
工作溫度-65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-218-3
供應商設備包裝SOT-93

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晶體管類型

PNP - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

125MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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-

晶體管類型

PNP - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 40mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 2A, 3V

功率-最大

40W

頻率-過渡

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

225mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 3V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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