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BUH100G

BUH100G

僅供參考

型號 BUH100G
PNEDA編號 BUH100G
描述 TRANS NPN 400V 10A TO-220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,802
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 31 - 四月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUH100G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUH100G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BUH100G, BUH100G數據表 (總頁數: 10, 大小: 290.72 KB)
PDFBUH100G數據表 封面
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BUH100G規格

制造商ON Semiconductor
系列SWITCHMODE™
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)400V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic750mV @ 1.5A, 7A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 5A, 5V
功率-最大100W
頻率-過渡23MHz
工作溫度-60°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 5V

功率-最大

330mW

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極截止(最大值)

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

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