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BUK9Y113-100E,115

BUK9Y113-100E,115

僅供參考

型號 BUK9Y113-100E,115
PNEDA編號 BUK9Y113-100E-115
描述 MOSFET N-CH 100V LFPAK
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 17,922
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUK9Y113-100E資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUK9Y113-100E,115
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BUK9Y113-100E, BUK9Y113-100E數據表 (總頁數: 13, 大小: 729.82 KB)
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BUK9Y113-100E規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs110mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.4nC @ 5V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds870pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)45W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱SC-100, SOT-669

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6205pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

630mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

427pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.8nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

390pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

73nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4200pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 30W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vgs(最大)

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