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BUT100

BUT100

僅供參考

型號 BUT100
PNEDA編號 BUT100
描述 TRANS NPN 125V 50A TO-3
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 2,862
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUT100資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUT100
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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BUT100規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)125V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic900mV @ 10A, 100A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大300W
頻率-過渡-
工作溫度200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝TO-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

245mV @ 235mA, 4.7A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 2A, 2V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

5µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

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2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

450mV @ 50mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 10mA, 2V

功率-最大

500mW

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