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BZM55B18-TR3

BZM55B18-TR3

僅供參考

型號 BZM55B18-TR3
PNEDA編號 BZM55B18-TR3
描述 DIODE ZENER 500MW MICROMELF
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $10.0897
100 ---------- $9.6168
250 ---------- $9.1438
500 ---------- $8.6709
750 ---------- $8.2767
1,000 ---------- $7.8826
庫存 53,178
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZM55B18-TR3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZM55B18-TR3
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZM55B18-TR3, BZM55B18-TR3數據表 (總頁數: 7, 大小: 122.53 KB)
PDFBZM55B12-TR數據表 封面
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BZM55B18-TR3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)18V
公差-
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)170 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 13V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱2-SMD, No Lead
供應商設備包裝MicroMELF

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電壓-齊納(額定)(Vz)

75V

公差

±5%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

175 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 56V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-213AB, MELF (Glass)

供應商設備包裝

MELF

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電壓-齊納(額定)(Vz)

3.3V

公差

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

28 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

DO-35 (DO-204AH)

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

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14.15V

公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

10 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 10V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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±5%

功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

105 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 36V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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