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BZX85C75-TAP

BZX85C75-TAP

僅供參考

型號 BZX85C75-TAP
PNEDA編號 BZX85C75-TAP
描述 DIODE ZENER 75V 1.3W DO41
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $0.8314
500 ---------- $0.7924
1,000 ---------- $0.7534
2,500 ---------- $0.7145
5,000 ---------- $0.6820
10,000 ---------- $0.6495
庫存 47,324
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZX85C75-TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZX85C75-TAP
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZX85C75-TAP, BZX85C75-TAP數據表 (總頁數: 6, 大小: 101.97 KB)
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BZX85C75-TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)75V
公差±5%
功率-最大1.3W
阻抗(最大值)(閽zt)135 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 56V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
工作溫度-55°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-41

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

100 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

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當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

13V

公差

-

功率-最大

800mW

阻抗(最大值)(閽zt)

10 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 10V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

70 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 27V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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15 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 24V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 500mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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