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CDBB180-G

CDBB180-G

僅供參考

型號 CDBB180-G
PNEDA編號 CDBB180-G
描述 DIODE SCHOTTKY 80V 1A DO214AA
制造商 Comchip Technology
單價 請求報價
庫存 2,358
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CDBB180-G資源

品牌 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CDBB180-G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
CDBB180-G, CDBB180-G數據表 (總頁數: 2, 大小: 45.05 KB)
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CDBB180-G數據表 頁面 2

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CDBB180-G規格

制造商Comchip Technology
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果850mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 80V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點125°C (Max)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

10ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-35

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

75pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

430mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

30mA @ 1200V

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