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CLH02(TE16L,Q)

CLH02(TE16L,Q)

僅供參考

型號 CLH02(TE16L,Q)
PNEDA編號 CLH02-TE16L-Q
描述 DIODE GEN PURP 300V 3A L-FLAT
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 6,840
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CLH02(TE16L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CLH02(TE16L,Q)
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
CLH02(TE16L, CLH02(TE16L數據表 (總頁數: 5, 大小: 189.13 KB)
PDFCLH02(TE16R數據表 封面
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CLH02(TE16L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)300V
電流-平均整流(Io)3A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 300V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱L-FLAT™
供應商設備包裝L-FLAT™ (4x5.5)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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120V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.12V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 120V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

70µA @ 650V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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