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CMPFJ175 TR

CMPFJ175 TR

僅供參考

型號 CMPFJ175 TR
PNEDA編號 CMPFJ175-TR
描述 IC JFET P-CH SOT23-3
制造商 Central Semiconductor Corp
單價
1 ---------- $8.0379
100 ---------- $7.6611
250 ---------- $7.2843
500 ---------- $6.9076
750 ---------- $6.5936
1,000 ---------- $6.2796
庫存 5,363
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CMPFJ175 TR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CMPFJ175 TR
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
CMPFJ175 TR, CMPFJ175 TR數據表 (總頁數: 3, 大小: 296.58 KB)
PDFCMPFJ175 TR數據表 封面
CMPFJ175 TR數據表 頁面 2 CMPFJ175 TR數據表 頁面 3

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CMPFJ175 TR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
FET類型P-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)7mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID3V @ 10nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)125 Ohms
功率-最大350mW
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

80mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 0.5nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18pF @ 10V

電阻-RDS(On)

60 Ohms

功率-最大

360mW

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

600µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

10mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

180mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4pF @ 10V

電阻-RDS(On)

200 Ohms

功率-最大

100mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

-

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

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包裝/箱

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

30µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

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