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PMBFJ111,215

PMBFJ111,215

僅供參考

型號 PMBFJ111,215
PNEDA編號 PMBFJ111-215
描述 JFET N-CH 40V 0.3W SOT23
制造商 NXP
單價
1 ---------- $5.1958
250 ---------- $4.9522
500 ---------- $4.7087
1,000 ---------- $4.4651
2,500 ---------- $4.2622
5,000 ---------- $4.0592
庫存 48,074
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 23 - 四月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMBFJ111資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMBFJ111,215
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
PMBFJ111, PMBFJ111數據表 (總頁數: 9, 大小: 81.39 KB)
PDFPMBFJ113數據表 封面
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PMBFJ111規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)40V
漏極至源極電壓(Vdss)40V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)20mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID10V @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS(On)30 Ohms
功率-最大300mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23 (TO-236AB)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

9mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-65°C ~ 135°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2.6mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

200mV @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

200µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

8mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

800mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

60 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

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