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CPV364M4F

CPV364M4F

僅供參考

型號 CPV364M4F
PNEDA編號 CPV364M4F
描述 IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $1,108.9651
50 ---------- $1,056.9824
100 ---------- $1,004.9996
200 ---------- $953.0169
400 ---------- $909.6980
500 ---------- $866.3790
庫存 209
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CPV364M4F資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CPV364M4F
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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CPV364M4F規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
IGBT類型-
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)27A
功率-最大63W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.6V @ 15V, 27A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce2.2nF @ 30V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱19-SIP (13 Leads), IMS-2
供應商設備包裝IMS-2

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

270W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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IGBT類型

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配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

103A

功率-最大

520W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1.5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

270A

功率-最大

660W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

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配置

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

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工作溫度

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

15nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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