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CSD87331Q3D

CSD87331Q3D

僅供參考

型號 CSD87331Q3D
PNEDA編號 CSD87331Q3D
描述 MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 227,310
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD87331Q3D資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD87331Q3D
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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CSD87331Q3D規格

制造商
系列NexFET™
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V, 1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.2nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds518pF @ 15V
功率-最大6W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerLDFN
供應商設備包裝8-LSON (5x6)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 11.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A, 4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.9nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

780mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.62nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

85.4pF @ 10V

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

118A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Surface Mount

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

235pF @ 15V

功率-最大

1.4W

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