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FDC6321C

FDC6321C

僅供參考

型號 FDC6321C
PNEDA編號 FDC6321C
描述 MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,600
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDC6321C資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDC6321C
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDC6321C, FDC6321C數據表 (總頁數: 8, 大小: 542.68 KB)
PDFFDC6321C數據表 封面
FDC6321C數據表 頁面 2 FDC6321C數據表 頁面 3 FDC6321C數據表 頁面 4 FDC6321C數據表 頁面 5 FDC6321C數據表 頁面 6 FDC6321C數據表 頁面 7 FDC6321C數據表 頁面 8

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FDC6321C規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)680mA, 460mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.3nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds50pF @ 10V
功率-最大700mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝SuperSOT™-6

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漏極至源極電壓(Vdss)

90V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

400mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

186nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5200pF @ 25V

功率-最大

390W

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.7mOhm @ 16.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

825pF @ 10V

功率-最大

27W, 48W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32.3nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2210pF @ 25V

功率-最大

68W

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.5mOhm @ 8.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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