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QJD1210010

QJD1210010

僅供參考

型號 QJD1210010
PNEDA編號 QJD1210010
描述 MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
制造商 Powerex Inc.
單價 請求報價
庫存 8,136
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QJD1210010資源

品牌 Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QJD1210010
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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QJD1210010規格

制造商Powerex Inc.
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 10mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs500nC @ 20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10200pF @ 800V
功率-最大1080W
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A, 8.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1233pF @ 15V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.55V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

960pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A, 2.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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