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CSD88537ND

CSD88537ND

僅供參考

型號 CSD88537ND
PNEDA編號 CSD88537ND
描述 MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 17,254
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD88537ND資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD88537ND
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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CSD88537ND規格

制造商
系列NexFET™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A
Rds On(Max)@ Id,Vgs15mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.6V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1400pF @ 30V
功率-最大2.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A, 3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 15V

功率-最大

1.4W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.9nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 10V

功率-最大

2W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

64mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF @ 25V

功率-最大

4W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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Vishay Siliconix

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

305mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 25V

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250mW

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