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CSD88584Q5DCT

CSD88584Q5DCT

僅供參考

型號 CSD88584Q5DCT
PNEDA編號 CSD88584Q5DCT
描述 MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 18,078
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD88584Q5DCT資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD88584Q5DCT
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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CSD88584Q5DCT規格

制造商
系列NexFET™
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs0.95mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs88nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds12400pF @ 20V
功率-最大12W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱22-PowerTFDFN
供應商設備包裝22-VSON-CLIP (5x6)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

SSM6N40TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

*

FET類型

-

FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

制造商

EPC

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Half Bridge)

FET功能

GaNFET (Gallium Nitride)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 15V, 590pF @ 15V

功率-最大

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

Die

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制造商

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系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

840pF @ 12V

功率-最大

2.7W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SMD, Flat Lead

供應商設備包裝

8-DFN (2.9x2.3)

DMC3028LSD-13

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.6A, 6.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

472pF @ 15V

功率-最大

1.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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