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ZXMN3G32DN8TA

ZXMN3G32DN8TA

僅供參考

型號 ZXMN3G32DN8TA
PNEDA編號 ZXMN3G32DN8TA
描述 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 28,422
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 23 - 二月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMN3G32DN8TA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMN3G32DN8TA
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ZXMN3G32DN8TA, ZXMN3G32DN8TA數據表 (總頁數: 8, 大小: 444.85 KB)
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ZXMN3G32DN8TA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs28mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds472pF @ 15V
功率-最大1.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A, 2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

271pF @ 10V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12pF @ 3V

功率-最大

125mW

工作溫度

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Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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