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CTLDM303N-M832DS TR

CTLDM303N-M832DS TR

僅供參考

型號 CTLDM303N-M832DS TR
PNEDA編號 CTLDM303N-M832DS-TR
描述 MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 2,772
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 15 - 四月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CTLDM303N-M832DS TR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CTLDM303N-M832DS TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
CTLDM303N-M832DS TR, CTLDM303N-M832DS TR數據表 (總頁數: 5, 大小: 823.39 KB)
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CTLDM303N-M832DS TR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs40mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds590pF @ 10V
功率-最大1.65W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TDFN Exposed Pad
供應商設備包裝TLM832DS

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5.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 7.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 700µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

84mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

129pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

56mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 10V

功率-最大

1.12W

工作溫度

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