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SI7909DN-T1-GE3

SI7909DN-T1-GE3

僅供參考

型號 SI7909DN-T1-GE3
PNEDA編號 SI7909DN-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 19 - 三月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7909DN-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7909DN-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI7909DN-T1-GE3, SI7909DN-T1-GE3數據表 (總頁數: 6, 大小: 87.97 KB)
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SI7909DN-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs37mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 700µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.3W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® 1212-8 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

570pF @ 15V

功率-最大

17.8W, 23W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

PowerPAK® 1212-8 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.7W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

57mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

7.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

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