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CUS02(TE85L,Q,M)

CUS02(TE85L,Q,M)

僅供參考

型號 CUS02(TE85L,Q,M)
PNEDA編號 CUS02-TE85L-Q-M
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 1A USFLAT
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,736
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CUS02(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CUS02(TE85L,Q,M)
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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CUS02(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果470mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 30V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-76, SOD-323
供應商設備包裝US-FLAT (1.25x2.5)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

6.6pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

460mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 30V

電容@ Vr,F

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

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