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CUS10S40,H3F

CUS10S40,H3F

僅供參考

型號 CUS10S40,H3F
PNEDA編號 CUS10S40-H3F
描述 DIODE SCHOTTKY 40V 1A USC
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 112,284
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CUS10S40資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CUS10S40,H3F
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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CUS10S40規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)40V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果400mV @ 500mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr150µA @ 40V
電容@ Vr,F120pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-76, SOD-323
供應商設備包裝USC
工作溫度-結點125°C (Max)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

350µA @ 30V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

17pF @ 4V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 100V

電容@ Vr,F

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反向恢復時間(trr)

-

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