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CUS551V30,H3F

CUS551V30,H3F

僅供參考

型號 CUS551V30,H3F
PNEDA編號 CUS551V30-H3F
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 21,816
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CUS551V30資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CUS551V30,H3F
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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CUS551V30規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)500mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果470mV @ 500mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 20V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-76, SOD-323
供應商設備包裝USC
工作溫度-結點125°C (Max)

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950mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

-

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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