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CY62158H-45ZSXI

CY62158H-45ZSXI

僅供參考

型號 CY62158H-45ZSXI
PNEDA編號 CY62158H-45ZSXI
描述 IC SRAM 8M PARALLEL
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,506
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY62158H-45ZSXI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY62158H-45ZSXI
類別半導體內存IC內存

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CY62158H-45ZSXI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列MoBL®
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小8Mb (1M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁45ns
訪問時間45ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

4.2ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (256 x 16)

內存接口

1-Wire®

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

2µs

電壓-供電

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工作溫度

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Renesas Electronics America Inc.

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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