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CY7C1021BN-12VXI

CY7C1021BN-12VXI

僅供參考

型號 CY7C1021BN-12VXI
PNEDA編號 CY7C1021BN-12VXI
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,498
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1021BN-12VXI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1021BN-12VXI
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C1021BN-12VXI, CY7C1021BN-12VXI數據表 (總頁數: 10, 大小: 474.42 KB)
PDFCY7C10211BN-10ZXCT數據表 封面
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CY7C1021BN-12VXI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (64K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-SOJ

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

200ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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內存類型

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內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

512Kb (32K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-SOJ

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制造商

Toshiba Memory America, Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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內存大小

8Gb (1G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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