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CYD02S36V18-200BBXC

CYD02S36V18-200BBXC

僅供參考

型號 CYD02S36V18-200BBXC
PNEDA編號 CYD02S36V18-200BBXC
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 256FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CYD02S36V18-200BBXC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CYD02S36V18-200BBXC
類別半導體內存IC內存

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CYD02S36V18-200BBXC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小2Mb (64K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.3ns
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱256-LBGA
供應商設備包裝256-FBGA (17x17)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QDR II

內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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工作溫度

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

16Mb (528 Bytes x 4096 pages)

內存接口

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時鐘頻率

85MHz

寫周期-字,頁

8µs, 6ms

訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (8M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

75MHz

寫周期-字,頁

15ms, 5ms

訪問時間

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