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D1G-T

D1G-T

僅供參考

型號 D1G-T
PNEDA編號 D1G-T
描述 DIODE GEN PURP 50V 1A T1
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,402
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

D1G-T資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號D1G-T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
D1G-T, D1G-T數據表 (總頁數: 3, 大小: 51.88 KB)
PDFD7G-T數據表 封面
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D1G-T規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 50V
電容@ Vr,F8pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱T1, Axial
供應商設備包裝T-1
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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60V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

250pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.9V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

65ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

TO-220AC

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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制造商

Powerex Inc.

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

400A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 400A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

25mA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

DO-200AA, A-PUK

供應商設備包裝

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

490mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 45V

電容@ Vr,F

70pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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速度

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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-

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