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DDTB122JC-7-F

DDTB122JC-7-F

僅供參考

型號 DDTB122JC-7-F
PNEDA編號 DDTB122JC-7-F
描述 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,380
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DDTB122JC-7-F資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DDTB122JC-7-F
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DDTB122JC-7-F, DDTB122JC-7-F數據表 (總頁數: 3, 大小: 109.69 KB)
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DDTB122JC-7-F規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)220 Ohms
電阻-發射極基(R2)4.7 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce47 @ 50mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡200MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

100 kOhms

電阻-發射極基(R2)

100 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

82 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

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NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

1 kOhms

電阻-發射極基(R2)

1 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

3 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 5mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

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22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

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