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DF11MR12W1M1B11BPSA1

DF11MR12W1M1B11BPSA1

僅供參考

型號 DF11MR12W1M1B11BPSA1
PNEDA編號 DF11MR12W1M1B11BPSA1
描述 MOSFET MOD 1200V 50A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,542
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DF11MR12W1M1B11BPSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DF11MR12W1M1B11BPSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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DF11MR12W1M1B11BPSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tj)
Rds On(Max)@ Id,Vgs22.5mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th)(最大)@ ID5.55V @ 20mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs124nC @ 15V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3680pF @ 800V
功率-最大20mW
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝AG-EASY1BM-2

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.2A, 32A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20.1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

144mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

276pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 20V

功率-最大

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Vgs(th)(最大)@ ID

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