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SI5933CDC-T1-GE3

SI5933CDC-T1-GE3

僅供參考

型號 SI5933CDC-T1-GE3
PNEDA編號 SI5933CDC-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,366
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 16 - 四月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI5933CDC-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI5933CDC-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI5933CDC-T1-GE3, SI5933CDC-T1-GE3數據表 (總頁數: 11, 大小: 246.9 KB)
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SI5933CDC-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs144mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.8nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds276pF @ 10V
功率-最大2.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝1206-8 ChipFET™

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100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50Ohm @ 20mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

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3.2A, 2.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

387pF @ 10V

功率-最大

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20.4nC @ 10V

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