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DF150R12RT4HOSA1

DF150R12RT4HOSA1

僅供參考

型號 DF150R12RT4HOSA1
PNEDA編號 DF150R12RT4HOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 1200V 150A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,290
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DF150R12RT4HOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DF150R12RT4HOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
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DF150R12RT4HOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Single Chopper
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)150A
功率-最大790W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.15V @ 15V, 150A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce9.3nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

21nF @ 25V

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輸入電容(Cies)@ Vce

49nF @ 25V

輸入

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NTC熱敏電阻

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2.1V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

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21.2nF @ 25V

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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