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DLE30E

DLE30E

僅供參考

型號 DLE30E
PNEDA編號 DLE30E
描述 DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,834
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DLE30E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DLE30E
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
DLE30E, DLE30E數據表 (總頁數: 3, 大小: 71.54 KB)
PDFDLE30E數據表 封面
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DLE30E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr20µA @ 400V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AD, Axial
供應商設備包裝Axial
工作溫度-結點150°C (Max)

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30V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

560mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 30V

電容@ Vr,F

750pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

600mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 600mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

15ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

T-18, Axial

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TS-1

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

6500V

電流-平均整流(Io)

1100A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

5.6V @ 2500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150mA @ 6500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

DO-200AE

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

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2.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

580mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.5mA @ 60V

電容@ Vr,F

395pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

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