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DMC1016UPD-13

DMC1016UPD-13

僅供參考

型號 DMC1016UPD-13
PNEDA編號 DMC1016UPD-13
描述 MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,490
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMC1016UPD-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMC1016UPD-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMC1016UPD-13, DMC1016UPD-13數據表 (總頁數: 10, 大小: 505.18 KB)
PDFDMC1016UPD-13數據表 封面
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DMC1016UPD-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)12V, 20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.5A, 8.7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs32nC @ 8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1454pF @ 6V
功率-最大2.3W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝PowerDI5060-8

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

610pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

135mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 25V

功率-最大

1.04W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

220mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9.5pF @ 10V

功率-最大

700mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

880mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

260mOhm @ 880mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

155pF @ 20V

功率-最大

272mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.4nC @ 4.5V

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