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DMC25D1UVT-13

DMC25D1UVT-13

僅供參考

型號 DMC25D1UVT-13
PNEDA編號 DMC25D1UVT-13
描述 MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,192
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMC25D1UVT-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMC25D1UVT-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMC25D1UVT-13, DMC25D1UVT-13數據表 (總頁數: 9, 大小: 644.27 KB)
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DMC25D1UVT-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)25V, 12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)500mA, 3.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.9nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds27.6pF @ 10V
功率-最大1.3W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝TSOT-26

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

980pF @ 50V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

70pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 15V

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