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DMG1016VQ-7

DMG1016VQ-7

僅供參考

型號 DMG1016VQ-7
PNEDA編號 DMG1016VQ-7
描述 MOSFET N/P-CH 20V SOT563
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 53,430
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMG1016VQ-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMG1016VQ-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMG1016VQ-7, DMG1016VQ-7數據表 (總頁數: 9, 大小: 475.32 KB)
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DMG1016VQ-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)870mA, 640mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.74nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds60.67pF @ 16V
功率-最大530mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.2nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

375pF @ 15V

功率-最大

700mW

工作溫度

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25Ohm

Vgs(th)(最大)@ ID

10mV @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15pF @ 5V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A, 5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 25V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.9nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 10V

功率-最大

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10A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

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