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DMG4932LSD-13

DMG4932LSD-13

僅供參考

型號 DMG4932LSD-13
PNEDA編號 DMG4932LSD-13
描述 MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,092
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 15 - 二月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMG4932LSD-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMG4932LSD-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMG4932LSD-13, DMG4932LSD-13數據表 (總頁數: 9, 大小: 486.16 KB)
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DMG4932LSD-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs15mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs42nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1932pF @ 15V
功率-最大1.19W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A, 27A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1095pF @ 15V

功率-最大

3.5W, 4.1W

工作溫度

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

118A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1800Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 15V

功率-最大

1.65W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

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