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DMG5802LFX-7

DMG5802LFX-7

僅供參考

型號 DMG5802LFX-7
PNEDA編號 DMG5802LFX-7
描述 MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,030
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMG5802LFX-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMG5802LFX-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMG5802LFX-7, DMG5802LFX-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 232.38 KB)
PDFDMG5802LFX-7數據表 封面
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DMG5802LFX-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)24V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs31.3nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1066.4pF @ 15V
功率-最大980mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝W-DFN5020-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.04A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1610pF @ 10V

功率-最大

890mW

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

752pF @ 15V

功率-最大

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

635pF @ 15V

功率-最大

1.6W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

530pF @ 15V

功率-最大

2.8W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.34nC @ 4.5V

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