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DMG9926UDM-7

DMG9926UDM-7

僅供參考

型號 DMG9926UDM-7
PNEDA編號 DMG9926UDM-7
描述 MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 312,114
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMG9926UDM-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMG9926UDM-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMG9926UDM-7, DMG9926UDM-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 135.26 KB)
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DMG9926UDM-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID900mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.3nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds856pF @ 10V
功率-最大980mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6
供應商設備包裝SOT-26

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 5.4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

518nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 6.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 800µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1066pF @ 10V

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1810pF @ 10V

功率-最大

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