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DMG9926USD-13

DMG9926USD-13

僅供參考

型號 DMG9926USD-13
PNEDA編號 DMG9926USD-13
描述 MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 64,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMG9926USD-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMG9926USD-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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DMG9926USD-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs24mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID900mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.8nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds867pF @ 15V
功率-最大1.3W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

139A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

350nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9875pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Ta), 84A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

功率-最大

3W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Ta), 8.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7A, 10V, 19.6mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.8nC, 17.8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF, 830F @ 10V

功率-最大

1.4W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 25V

功率-最大

3.2W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.7mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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