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SH8K10SGZETB

SH8K10SGZETB

僅供參考

型號 SH8K10SGZETB
PNEDA編號 SH8K10SGZETB
描述 SH8K10S IS A POWER MOSFET WITH L
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,946
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SH8K10SGZETB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SH8K10SGZETB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SH8K10SGZETB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A (Ta), 8.5A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs24mOhm @ 7A, 10V, 19.6mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16.8nC, 17.8nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds660pF, 830F @ 10V
功率-最大1.4W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

170mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5Ohm @ 170mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20pF @ 30V

功率-最大

1.33W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 25V

功率-最大

3.2W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

37A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 18.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

96nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4367pF @ 25V

功率-最大

312W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 260µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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