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DMHC3025LSDQ-13

DMHC3025LSDQ-13

僅供參考

型號 DMHC3025LSDQ-13
PNEDA編號 DMHC3025LSDQ-13
描述 MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,988
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMHC3025LSDQ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMHC3025LSDQ-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMHC3025LSDQ-13, DMHC3025LSDQ-13數據表 (總頁數: 9, 大小: 341.54 KB)
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DMHC3025LSDQ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A, 4.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11.7nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds590pF @ 15V
功率-最大1.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

145mOhm @ 500mA, 4.5V, 260mOhm @ 250mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

245pF @ 10V, 218pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 100A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 34mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

330nC @ 15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A, 7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

525pF @ 15V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.9mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 35µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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