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DMHC6070LSD-13

DMHC6070LSD-13

僅供參考

型號 DMHC6070LSD-13
PNEDA編號 DMHC6070LSD-13
描述 MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,814
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMHC6070LSD-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMHC6070LSD-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMHC6070LSD-13, DMHC6070LSD-13數據表 (總頁數: 10, 大小: 584.79 KB)
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DMHC6070LSD-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.1A, 2.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds731pF @ 20V
功率-最大1.6W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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17A, 33A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 15V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

185mOhm @ 1.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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