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DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

僅供參考

型號 DMJ70H1D3SH3
PNEDA編號 DMJ70H1D3SH3
描述 MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,372
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMJ70H1D3SH3資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMJ70H1D3SH3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMJ70H1D3SH3, DMJ70H1D3SH3數據表 (總頁數: 6, 大小: 416.1 KB)
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DMJ70H1D3SH3規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)700V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13.9nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds351pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)41W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-251
包裝/箱TO-251-3 Stub Leads, IPak

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.7A (Ta), 113A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.8mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4.468nF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

52A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

73nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2739pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 83W (Tc)

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安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

78mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1710pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

144W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

970pF @ 10V

FET功能

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