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DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13

僅供參考

型號 DMN10H170SK3-13
PNEDA編號 DMN10H170SK3-13
描述 MOSFET N-CH 100V 12A TO252
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 68,496
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN10H170SK3-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN10H170SK3-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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DMN10H170SK3-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs140mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.7nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1167pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)42W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252-3
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

185nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

480W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25.2mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4700pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

8.3W (Ta), 136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-252, (D-Pak)

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SIHP21N65EF-GE3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

106nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2322pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

208W (Tc)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

220nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5870pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

450W (Tc)

工作溫度

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