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DMN10H220LVT-7

DMN10H220LVT-7

僅供參考

型號 DMN10H220LVT-7
PNEDA編號 DMN10H220LVT-7
描述 MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
制造商 Diodes Incorporated
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庫存 4,392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN10H220LVT-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN10H220LVT-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN10H220LVT-7, DMN10H220LVT-7數據表 (總頁數: 7, 大小: 394.6 KB)
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DMN10H220LVT-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.87A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs220mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.3nC @ 10V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds401pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.67W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TSOT-26
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

940mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

827pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta), 46A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1187pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

160A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

189nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta), 250W (Tc)

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功耗(最大值)

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