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DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

僅供參考

型號 DMN2013UFX-7
PNEDA編號 DMN2013UFX-7
描述 MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,718
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 14 - 六月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN2013UFX-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN2013UFX-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN2013UFX-7, DMN2013UFX-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 274.61 KB)
PDFDMN2013UFX-7數據表 封面
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DMN2013UFX-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs57.4nC @ 8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2607pF @ 10V
功率-最大2.14W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝W-DFN5020-6

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A, 40A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 15.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 15V

功率-最大

16.7W, 31W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.5mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 15V

功率-最大

3.6W, 4.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

540mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 16V

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 10V

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 10V

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