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DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

僅供參考

型號 DMN2015UFDF-7
PNEDA編號 DMN2015UFDF-7
描述 MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6
制造商 Diodes Incorporated
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庫存 6,768
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN2015UFDF-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN2015UFDF-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN2015UFDF-7, DMN2015UFDF-7數據表 (總頁數: 8, 大小: 561.37 KB)
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DMN2015UFDF-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15.2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs42.3nC @ 10V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1439pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.8W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝U-DFN2020-6
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.25Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±50V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

240pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

59mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

830pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

582pF @ 15V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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110nC @ 10V

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