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DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

僅供參考

型號 DMN2019UTS-13
PNEDA編號 DMN2019UTS-13
描述 MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 451
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN2019UTS-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN2019UTS-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN2019UTS-13, DMN2019UTS-13數據表 (總頁數: 6, 大小: 223.65 KB)
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DMN2019UTS-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs18.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID950mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.8nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds143pF @ 10V
功率-最大780mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17.6A (Ta), 70A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1020pF @ 25V

功率-最大

3.2W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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Surface Mount

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制造商

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系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A, 6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1276pF @ 15V

功率-最大

1.19W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

393pF @ 15V

功率-最大

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 10V

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