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DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

僅供參考

型號 DMN2019UTS-13
PNEDA編號 DMN2019UTS-13
描述 MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 451
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 10 - 四月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN2019UTS-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN2019UTS-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN2019UTS-13, DMN2019UTS-13數據表 (總頁數: 6, 大小: 223.65 KB)
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DMN2019UTS-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs18.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID950mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.8nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds143pF @ 10V
功率-最大780mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

220mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9.5pF @ 10V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A, 1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 6V

功率-最大

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工作溫度

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1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

180mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.75nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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